Безызлучательная рекомбинация
Рис. 45. Возможные механизмы рекомбинации Оже: а — рекомбинация электрона и дырки (1-4) и захват носителей дефектами (5-8); б - переходы электрона, воспринявшего. Рекомбинация в полупроводниках бывает в основном двух видов: излучательная и безызлучательная. На рис. 2.5 показано, что в каждом акте излучательной. Смотреть что такое "безызлучательная рекомбинация" в других словарях: безызлучательная рекомбинация — nespinduliuojamoji rekombinacija statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. non radiative recombination. Глава: §2. Межзонная рекомбинация неравновесных носителей заряда. Предмет: Физика. ВУЗ: УГАТУ. Файловый архив студентов. (безызлучательная рекомбинация). Рекомбинация безызлучательная Другим видом тушения, приводящим к снижению квантового выхода люминесценции, является внешнее тушение, обязанное своим. Рекомбинация носителей заряда: межзонная, примесная, поверхностная, излучательная, безызлучательная. В первом случае имеет место безызлучательная рекомбинация с участием фононов, В этом случае скорость рекомбинации зависит только от степени возбуждения. безызлучательная Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках - Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978. рекомбинация. При безызлучательной Р. избыточная энергия может непосредственно передаваться решётке путём возбуждения её колебаний. Очень важно, чтобы для формирования активной области использовались высококачественные. Рекомбинация носителей чем безызлучательной 2 Однако вероятность безызлучательной непосредственной рекомбинации сама по себе тоже очень мала. Возможна также безызлучательная Р., Рекомбинация ионов и электронов в газах и плазме образование нейтральных атомов и молекул из свободных электронов. Скорость рекомбинации измеряется числом носителей, ежесекундно рекомбинирующих в единице объема полупроводника. Безызлучательная. Рекомбинация экситонов может быть прямой и непрямой Наиболее определенно можно назвать четыре типа процессов безызлучательной рекомбинации. Литература. Абакумов, В. Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. - Петербургский институт ядерной физики, 1997 - isbn 5-86763-111-7 - глава 11 Оже-рекомбинация. соотношение Nф = Pф / Eф = 5 1015 l Pф (2.3) где Nф, см-2 с-1; l, мкм; Pф, мВт/см. Рис. 2. Энергетическая диаграмма прямозонного полупроводника (на примере тройного соединения. Излучательная и безызлучательная рекомбинация. 50 2.1. Излучательная рекомбинация пар электрон-дырка Излучательная и безызлучательная рекомбинация 2.1. Излучательная рекомбинация пар электрон-дырка. Снижение доли безызлучательной рекомбинации — одна из важнейших задач технологии рекомбинация на гетерограницах в системе AIAs— GaAs не интенсивна. Безызлучательная рекомбинация на поверхности полупроводника. Безызлучательная рекомбинация может происходить не только в объеме, но и на поверхности. Предложена полная физическая модель электролюминесценции в полосе 2,7эВ. Предлагаемая модель подтверждается экспериментальными данными. Электролюминесценция. Рекомбинация и генерация дырок и электронов в полупроводнике происходят непрерывно. или в виде фонона (безызлучательная рекомбинация). В соответствии с этим говорят об излучательной и безызлучательной рекомбинации. Излучательная рекомбинация. Определение слова Рекомбинация по всем словарям Возможна также безызлучательная Р., при которой энергия расходуется. Энергия может выделяться в виде кванта света ћω - излучательная рекомбинация - или в виде тепла (фононов) - безызлучательная. Научная статья из сборника Международной научной конференции «Технические науки в России и за рубежом (ii)» (секция 2. Электроника, радиотехника и связь). Рекомбинация электронов и дырок в Излучательная и безызлучательная рекомбинация. Межзонная рекомбинация. Рекомбинация. i. Возможна также безызлучательная Р., при которой энергия расходуется на возбуждение колебаний кристаллической решётки (См. Рис. 1. Спектры фотолюминесценции образцов пористого кремния n-типа, выдержанных на атмосфере от 1 до 35 дней: а) без нормировки, b) нормированные на единицу.